SH/T 0176-1992 喷气燃料过氧化值测定法.rar

本规范规定了3DG3439型和3DG3440型NPN硅小功率高反压晶体管(以下简称器件)的详细要求。该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。标准编号：SJ 20176-1992 
标准名称:半导体分立器件 ３ＤＧ３４３９型和３ＤＧ３４４０型ＮＰＮ硅小功率高反压晶体管详细规范 
英文名称:Semiconductor discrete device-Detail specification for NPN silicon low-power high-reverse-voltage transistor of Types 3DG3439 and 3DG3440 
标准状态：现行 
发布日期：1992-11-19 
实施日期：1993-05-01 
发布部门：中国电子工业总公司 
归口单位：中国电子技术标准化研究所 
起草人：王长福、吴鑫奎、龚云 
起草单位：中国电子技术标准化研究所和国营八二三一厂