本标准规定了使用 X 射线辐射仪（光子平均能量约 10keV，最大光子能量不超过100keV）对半导体器件和电路进行电离辐射效应试验的方法和程序。适用于半导体器件的总剂量电离辐照评估试验。标准编号：SJ/T 11586-2016
标准名称:半导体器件 10keV低能X射线总剂量辐射试验方法
标准状态：现行
发布日期：2016-01-15
实施日期：2016-06-01
发布部门：中华人民共和国工业和信息化部
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