本文件规定了碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的二次离子质谱测试方法。
本文件适用于碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的定量分析,测定范围为硼含量不小于5×1013 cm-3、铝含量不小于5×1013 cm-3、氮含量不小于5×1015 cm-3,元素浓度(原子个数百分比)不大于1%。标准编号:GB/T 41153-2021
标准名称:碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法
英文名称:Determination of boron,aluminum and nitrogen impurity content in silicon carbide single crystal—Secondary ion mass spectrometry
标准状态:现行
发布日期:2021-12-31
实施日期:2022-07-01
发布部门:国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会
归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
起草人:马农农、何友琴、陈潇、刘立娜、何烜坤、李素青、张红岩
起草单位:中国电子科技集团公司第四十六研究所、有色金属技术经济研究院有限责任公司、山东天岳先进科技股份有限公司
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