《半导体器件物理I》PPT课件 游海龙 西安电子科技大学

 
课件内容： 
pn结 
第一讲 
1-1 平衡pn结定性分析 
1.pn结的形成和杂质分布  
2.平衡pn结物理过程分析 
3.平衡pn结的特点 
1-2 平衡pn结定量分析 
4.平衡pn结能带图的绘制与内建电势Vbi 
5.突变pn结势垒区电场定量分析 
6.突变pn结势垒区电位定量分析 
7.突变pn结势垒区宽度定量分析 
第二讲 
1-3 理想pn结直流伏安特性 
8.理性pn结直流伏安特性分析思路 
9.求解理想pn结直流特性的数学模型 
10.理想pn结直流特性方程 
11.pn结单向导电性分析 
12.pn结单向导电性的物理解释 
13.理想pn结直流特性进一步分析 
1-4 实际pn结I-V特性与理想模型的偏离  
14.势垒产生对反向电流的影响 
15.势垒复合对正向小电流的影响 
16.大注入和串联电阻对正向大电流的影响 
第三讲 
1-5 pn结击穿 
17.雪崩击穿条件 
18.雪崩击穿电压 
19.pn结隧道击穿 
20.提高击穿电压的途径 
1-6 pn结交流小信号特性 
21.理想pn结交流小信号数学模型 
22.理想pn结交流小信号特性 
23.pn结小信号电导 
24. pn结扩散电容 
25. pn结势垒电容 
第四讲 
1-7 pn结瞬态特性 
26. pn结存储时间 
27. pn结断开时间 
1-8 pn结模型和模型参数 
28. pn结模型 
29. pn结电流源模型解读 
30..pn结基本模型参数 
31..pn结交流小信号模型 
BJT直流 放大特性 
第五讲 
2-1 BJT直流放大原理定性分析 
32.平面工艺IC中的BJT  
33.BJT电流传输过程 
34.BJT共基极电流放大系数 
35.BJT共射极电流放大系数 
2-2 理想BJT直流电流放大系数定量分析 
36. BJT直流分析数学模型 
37.BJT直流数学模型求解 
38..注入效率-.基区输运系数-电流放大系数 
39.电流放大系数简便分析方法 
40.缓变基区BJT的基区自建电场 
41.缓变基区BJT的电流放大系数 
42.实际BJT电流放大系数讨论 
第六讲 
2-3 影响BJT直流电流放大系数的非理想因素 
43.偏置电流对放大系数的影响 
44.基区宽边效应与发射区带隙变窄效应 
BJT频率 特性 
第七讲 
3-1 BJT频率特性参数 
45.BJT频率参数 
3-2 共基极α频率特性定量分析β 
46. BE结势垒电容充放电时常数 
47.基区渡越时间 
48.BC结势垒渡越时间 
49.BC结势垒电容Cjc充放电时常数 
第八讲 
3-3 共射极电流放大系数β与特征频率 
50.Alpha和Beta截止频率 
51.特征频率 
BJT功率 特性 
第九讲 
4-1 基区电阻 
52.基区电阻 
4-2 功率BJT的交叉梳状版图设计 
53.发射极电流集边效应 
54.功率晶体管交叉梳状版图设计 
第十讲 
4-3 BJT的击穿电压与外延层参数的确定 
55.C-E击穿电压 
56.基区穿通 
57.外延结构BJT 
58.外延层穿通与外延层参数设计 
4-4 BJT最大功耗、二次击穿与安全工作区 
59.BJT热阻与最大功耗 
60.二次击穿与安全工作区 
BJT开关 特性 
第十一讲 
5-1 BJT的开关作用 
61.BJT开关作用 
62.两种稳定状态下基区少子分布 
5-2 BJT的开关过程分析 
63.断开到导通过程分析 
64.导通到断开的过程分析 
5-3 BJT的开关参数 
65.开关参数 
66.提高开关速度的途径 
BJT模型 和BJT版图 
第十二讲 
6-1 E-M模型 
67.EM1模型 
68.EM2模型 
69.EM3模型 
6-2 BJT版图 
70.分立与集成BJT器件结构 
71.集成电路中的BJT版图