模拟CMOS电路设计折中与优化

 

基本信息： 

【作　者】（美）DAVIDM.BINKLEY著；冯军，胡庆生等译 

【丛书名】国外电子与通信教材系列 

【形态项】 524 

【出版项】 北京：电子工业出版社 , 2013.05 

【ISBN号】978-7-121-20188-2 

【中图法分类号】TN432.02 

【原书定价】79.00 

【主题词】CMOS电路-电路设计-高等学校-教材 

【参考文献格式】 （美）DAVIDM.BINKLEY著；冯军，胡庆生等译. 模拟CMOS电路设计折中与优化. 北京：电子工业出版社, 2013.05. 

内容提要: 

全书分为两部分，第一部分深入、细致地研究了三个选项对器件、基本电路各种性能的影响；第二部分采用CMOS工艺结合典型电路(运算跨导放大器和微功耗，低噪声前置放大器)设计进行实例介绍，给出了各种情况下电路优化设计的结果和相应的分析。其中，值得一提的是本书介绍了一种采用模拟CMOS设计、折中和优化电子数据表的设计方法。