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太阳能光伏产业——硅材料系列教材 光伏材料理化实用基础 梅艳,叶常琼 主编 201

太阳能光伏产业——硅材料系列教材 光伏材料理化实用基础  

作者:梅艳,叶常琼 主编 

出版时间: 2016年版 

内容简介 

  本书将光伏材料的相关专业基础知识分为光伏材料物理和光伏材料化学两部分,其中“光伏材料物理实用基础篇”侧重介绍光伏材料的分类、特性、结构理论、能带理论、发电理论;而“光伏材料化学实用基础篇”则以太阳能电池的工艺生产过程为主线,将其中涉及的化学原理、化学药品、化学反应及安全操作等内容逐一介绍。 

目录 

上篇光伏材料物理实用基础篇 / 1  

模块一光伏材料基础2  

1.1光伏材料的分类2  

1.1.1硅材料2  

1.1.2化合物半导体薄膜材料3  

1.2半导体材料的物理特性4  

1.2.1半导体材料的共性4  

1.2.2硅材料的特殊物理性质4  

1.2.3化合物半导体材料的特殊性质5  

实训一采用四探针测试仪测量硅材料的电阻7  

思考题8  

模块二晶体结构与缺陷9  

2.1晶体的构造9  

2.1.1晶体与非晶体9  

2.1.2晶体的格子构造9  

2.1.3晶胞与14种空间结构9  

2.2晶体的特性11  

2.2.1晶体的规则外形11  

2.2.2晶体的固定熔点11  

2.2.3晶体的各向异性12  

2.2.4晶体的解理性13  

2.2.5晶体的稳定性13  

2.3典型的晶体结构13  

2.3.1晶体的分类13  

2.3.2半导体材料的典型结构13  

2.4晶面、晶向15  

2.4.1晶面指数15  

2.4.2晶向指数15  

2.4.3晶面间距15  

2.4.4晶面夹角15  

2.5晶体缺陷16  

2.5.1点缺陷16  

2.5.2线缺陷17  

2.5.3面缺陷17  

2.5.4体缺陷19  

实训二采用X射线衍射法测试硅片的表面取向19  

思考题20  

模块三杂质与缺陷能级21  

3.1能带的形成21  

3.1.1电子的共有化21  

3.1.2能级、能带、能隙21  

3.1.3导体、半导体、绝缘体的能带结构22  

3.2半导体中的杂质与掺杂22  

3.2.1半导体纯度的表示22  

3.2.2半导体的杂质效应及影响22  

3.2.3半导体的掺杂与型号23  

3.2.4电子、空穴的产生24  

实训三傅里叶红外光谱仪测试硅晶体中杂质含量24  

思考题25  

模块四热平衡状态下的载流子和非平衡状态下的载流子26  

4.1热平衡状态下的载流子26  

4.1.1费米分布函数26  

4.1.2状态密度27  

4.1.3导带电子浓度和价带空穴浓度27  

4.1.4本征半导体的载流子浓度28  

4.1.5掺杂半导体的载流子浓度28  

4.2非平衡状态下的载流子29  

4.2.1非平衡载流子的产生与复合29  

4.2.2非平衡载流子的寿命30  

实训四采用少子寿命仪测量硅片的少子寿命30  

思考题31  

模块五P-N结32  

5.1P-N结的形成32  

5.1.1载流子的扩散运动32  

5.1.2载流子的飘移运动32  

5.2P-N结的制备及杂质分布图33  

5.3P-N结的能带结构及接触电势33  

5.4P-N结的特性34  

5.4.1P-N结的电流电压特性34  

5.4.2P-N结的电容特性34  

5.4.3P-N结的击穿效应34  

5.4.4P-N结的光伏效应35  

思考题35  

下篇光伏材料化学实用基础篇 / 36  

模块六光伏材料化学特性37  

6.1硅及其重要化合物37  

6.1.1硅37  

6.1.2二氧化硅41  

6.1.3氮化硅42  

6.1.4碳化硅42  

6.1.5四氯化硅43  

6.1.6三氯氢硅43  

6.1.7硅酸44  

6.1.8硅烷44  

6.1.9锗45  

6.2GaAs45  

6.3CdTe薄膜材料的工艺化学原理46  

思考题47  

模块七外延工艺化学原理48  

7.1外延工艺中气相抛光原理48  

7.2外延生长的化学原理49  

7.3氢气的纯化50  

7.3.1分子筛纯化氢气的原理50  

7.3.2分子筛的类型和组成50  

7.3.3分子筛的特性51  

7.3.4分子筛的再生51  

7.4常用的脱水剂(干燥剂)51  

7.5脱氧剂——105催化剂52  

7.6钯管的纯化原理53  

7.7氢气中其他杂质的净化剂53  

模块八化学清洗及纯水的制备54  

8.1化学清洗54  

8.1.1硅片表面沾污的杂质54  

8.1.2化学清洗的原理55  

8.1.3硅片清洗的一般步骤及注意事项60  

8.2纯水的制备60  

模块九硅片表面的化学机械抛光62  

9.1表面抛光的分类62  

9.2表面抛光的原理62  

9.2.1铬离子化学机械抛光62  

9.2.2二氧化硅胶体化学机械抛光62  

模块十半导体材料化学腐蚀原理64  

10.1化学腐蚀的原理64  

10.1.1半导体材料的腐蚀64  

10.1.2二氧化硅的腐蚀65  

10.1.3氮化硅的腐蚀66  

10.1.4金属的腐蚀66  

10.2影响化学腐蚀的因素68  

模块十一扩散制结化学原理70  

11.1扩散基本理论70  

11.1.1扩散杂质的选择70  

11.1.2扩散原理71  

11.2磷扩散化学原理73  

11.2.1液态源73  

11.2.2气态源75  

11.2.3固态源75  

11.3硼扩散化学原理75  

11.3.1液态源76  

11.3.2固态源77  

11.3.3气态源77  

模块十二刻蚀工艺化学原理79  

12.1光刻79  

12.2聚乙烯醇肉桂酸酯光刻胶80  

12.3光刻工艺的化学原理82  

12.4其他光致抗蚀剂的介绍84  

模块十三表面钝化和镀减反射膜的化学原理88  

13.1二氧化硅钝化膜88  

13.2磷硅玻璃钝化膜91  

13.3氮化硅钝化膜92  

13.4三氧化二铝钝化膜94  

模块十四丝网印刷98  

14.1丝网印刷的浆料组成98  

14.2丝网印刷制备电极的原理99  

14.3丝网印刷化学品的防护101  

模块十五化学储能电池104  

15.1铅酸蓄电池104  

15.2锂离子电池107  

15.3镍氢电池108  

参考文献110 

 

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