HG/T 3657-2017 水处理剂异噻唑啉酮衍生物

本标准规定了纳米尺度相变存储单元读写擦参数的晶圆测试规范，其测试结果可用于表征相变存储材料或器件的电学可操作性能。本标准适用于以硫系化合物为主要原料，基于半导体晶圆工艺加工制造的电极尺度小于100 nm的相变存储单元，100 nm～300 nm的相变存储单元也可参照本标准执行。本标准不适用于包含外围驱动电路的存储单元。标准编号：GB/T 33657-2017 
标准名称:纳米技术 晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范 
英文名称:Nanotechnologies—Electrical operating parameter test specification of wafer level nano-scale phase change memory cells 
标准状态：现行 
发布日期：2017-05-12 
实施日期：2017-12-01 
发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 
归口单位：全国纳米技术标准化技术委员会(SAC/TC 279) 
起草人：陈一峰、陈小刚、宋志棠 
起草单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所