MOS集成电路工艺与制造技术

 

基本信息： 

【作　者】潘桂忠编著 

【形态项】 489 

【出版项】 上海：上海科学技术出版社 , 2012.06 

【ISBN号】978-7-5478-0980-8 

【中图法分类号】TN432 

【原书定价】85.00 

【主题词】MOS集成电路-集成电路工艺 

【参考文献格式】 潘桂忠编著. MOS集成电路工艺与制造技术. 上海：上海科学技术出版社, 2012.06. 

内容提要: 

本书系统地介绍了硅集成电路制造技术中的基础工艺。书中内容包括硅衬底与清洗﹑氧化﹑扩散﹑离子注入﹑外延﹑化学气相淀积、光刻与腐蚀/刻蚀﹑金属化与多层布线﹑表面钝化以及工艺集成制造技术。书中1～10章介绍了各种工艺，建立了工艺规范并确定了其规范号。11～13章将介绍CMOS和LV/HV兼容CMOS﹑BiCMOS和LV/HV兼容BiCMOS以及BCD工艺集成制造技术，给出部分实用简明工艺制程，并与工艺制程的剖面结构相对应。1～10章为后面11～13章的各种工艺集成制造技术奠定了基础。