半导体器件：计算和电信中的应用
出版时间：2010年版
丛编项： 电子与电气工程丛书
内容简介
本书从半导体基础开始，介绍了目前电信和计算产业中半导体器件的发展现状，在器件方面为电子工程提供了坚实的基础。内容涵盖未来计算硬件和射频功率放大器的实现方法，阐述了计算和电信的发展趋势和系统要求对半导体器件的选择、设计及工作特性的影响。本书首先讨论了半导体的基本特性；接着介绍了基本的场效应器件MODFET和MOSFET，以及器件尺寸不断缩小所带来的短沟道效应和面临的挑战；最后讨论了光波和无线电信系统中半导体器件的结构、特性及其工作条件。本书不仅可以作为研究生教材，也可为本领域工程师和研究人员提供参考。
目录
译者序
前言
第1章 半导体基础
1.1 半导体的定义
1.2 平衡载流子浓度与本征材料
1.3 杂质半导体材料
思考题
第2章 载流子的运动
2.1 载流子的漂移运动与扩散运动
2.2 产生-复合
2.3 连续性方程及其解
思考题
第3章 结
3.1 处于平衡状态的pn结
3.2 不同偏压下的同质pn结
3.3 理想二极管行为的偏离
3.4 载流子的注入、拉出、电荷控制分析及电容
3.5 肖特基势垒
思考题
第4章 双极结型晶体管
4.1 BJT工作原理
4.2 BJT的二阶效应
4.2.1 基区漂移
4.2.2 基区宽度调制/Early效应
4.2.3 雪崩击穿
4.3 BJT的高频特性
思考题
第5章 结型场效应晶体管和金属-半导体场效应晶体管
5.1 JFET工作原理
5.2 MESFET和MODFET工作原理
5.3 JFET和MESFET的定量描述
5.4 JFET小信号模型
思考题
第6章 金属-绝缘体-半导体结构和MOSFET
6.1 平衡态下的MIS系统
6.2 加偏压时的MIS结构
6.3 MOSFET的基本工作原理
6.4 MESFET和MOSFET的小信号特性
6.5 CMOS电路
思考题
第7章 短沟道效应及其对CMOS的挑战
7.1 短沟道效应
7.2 尺寸缩小理论
7.3 CMOS进一步小型化中遇到的挑战
思考题
第8章 超越CMOS
8.1 超越CMOS之外的发展
8.2 碳纳米管
8.3 传统计算与感知计算、分子和生物计算
8.4 分子电子学——分子二极管和二极管—二极管逻辑门
8.5 容错计算
8.6 量子原胞自动机
思考题
第9章 电信系统概述
9.1 光纤传输
9.2 放大器与中继器
9.3 移动蜂窝电信系统
9.4 蜂窝系统的器件类型
第10章 光电器件——发射器、光放大器和探测器
10.1 发光二极管
10.2 受激发射
10.3 激光器工作原理
10.4 半导体激光器的类型
10.5 掺铒光纤放大器
10.6 半导体光放大器
10.7 p-i-n光电探测器
10.8 雪崩二极管
思考题
第11章 无线系统中高频大功率晶体管
11.1 无线传输系统中晶体管的特性
11.2 异质结
11.3 MODFET器件
11.4 异质结双极晶体管（HBTs）
11.5 宽带隙半导体
思考题
参考书目