低维量子器件物理

 

基本信息： 

【作　者】彭英才，赵新为，傅广生编著 

【丛书名】半导体科学与技术丛书 

【形态项】 185 

【出版项】 北京：科学出版社 , 2012.04 

【ISBN号】978-7-03-033849-5 

【中图法分类号】O47;TN303 

【原书定价】49.00 

【主题词】半导体器件-半导体物理 

【参考文献格式】 彭英才，赵新为，傅广生编著. 低维量子器件物理. 北京：科学出版社, 2012.04. 

内容提要: 

低维量子器件是微纳电子技术研究的核心，低维量子器件物理是现代半导体器件物理的一个重组成部分。它的主要研究对象是低维量子器件的设计制作，器件性能与载流子输运动力学等内容。本书主要以异质结双极晶体管、高电子迁移率晶体管、共振隧穿电子器件、单电子器件、量子结构激光器、量子结构红外探测器和量子结构太阳电池为主，比较系统地分析与讨论了它们的工作原理与器件特性，并对自旋电子器件、单分子器件和量子计算机等内容进行了简单介绍。