半导体物理性能手册 第3卷 上 英文

 

基本信息： 

【作　者】（日）足立贞夫主编 

【丛书名】Springer手册精选原版系列 

【形态项】 253 

【出版项】 哈尔滨：哈尔滨工业大学出版社 , 2014.04 

【ISBN号】978-7-5603-4518-5 

【中图法分类号】O472-62 

【原书定价】158.00 

【主题词】半导体材料-物理性能-手册-英文 

【参考文献格式】 （日）足立贞夫主编. 半导体物理性能手册 第3卷 上 英文. 哈尔滨：哈尔滨工业大学出版社, 2014.04. 

内容提要: 

本册由8章组成，介绍10立方硫化镉(ccd)，11纤锌矿型硫化镉(wcd)，12立方硒化镉(c-CdSe)，13纤锌矿硒化镉(w-CdSe)，14碲化镉(CdTe)，15立方硫化汞(β-HgS)，16汞硒化物(HgSe)，17碲化汞(HgTe)，8种化合物的结构属性、热性能、弹性、声子和晶格振动性质、集成效应和相关属性、能带结构：能带、能带结构：电子和孔有效质量、电子形变势、电子亲和力和肖特基势垒高度、光学特性、电光和非线性光学特性、载体运输属性等。