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半导体物理性能手册 第2卷 上 英文

半导体物理性能手册 第2卷 上 英文 

基本信息: 

【作 者】(日)足立贞夫主编 

【丛书名】SPRINGER手册精选原版系列 

【形态项】 232 

【出版项】 哈尔滨:哈尔滨工业大学出版社 , 2014.04 

【ISBN号】978-7-5603-4516-1 

【中图法分类号】O472-62 

【原书定价】148.00 

【主题词】半导体材料-物理性能-手册-英文 

【参考文献格式】 (日)足立贞夫主编. 半导体物理性能手册 第2卷 上 英文. 哈尔滨:哈尔滨工业大学出版社, 2014.04. 

内容提要: 

本册由9章组成,介绍介绍Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物,10、纤锌矿型氮化镓,11、立方氮化镓,12、磷化镓(差距),13、砷化镓(砷化镓),14、锑化镓(GaSb),15、氮化铟(酒店),16、磷化铟(InP),17、砷化铟(成),18、锑化铟(InSb),共9种化合物的结构属性、热性能、弹性、声子和晶格振动性质、集成效应和相关属性、能带结构:能带、能带结构:电子和孔有效质量、电子形变势、电子亲和力和肖特基势垒高度、光学特性、电光和非线性光学特性、载体运输属性等。 

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