基于片上去耦电容的配电网络 原书第二版
作 者： （以色列）Renatas Jakushokas，（俄罗斯）Mikhail Popovich，（俄罗斯）Andrey V.Mezhiba，等著 续海涛，胡子一，韩荆宇 等译
出版时间： 2014
丛编项： 国际信息工程先进技术译丛
内容简介
《国际信息工程先进技术译丛：基于片上去耦电容的配电网络（原书第2版）》主要介绍了高性能超大规模集成电路中配电网络的设计和研究方法，详细分析了片上电源分布网络的各个方面。针对配电系统及其相关的设计难点提出了清晰、有效的解决方法，包括电路网络建模方法和片上去耦电容布局技术。此外，对于片上配电系统的特性行为和设计方法，本书也具有深刻的见解和清晰的表述。本书专业理论性较强，由点及面，由浅入深，在科研领域和工业领域都具有很高的参考价值。本书不仅适用于集成电路物理设计工程师，还可作为集成电路配电网络专题研究人员及相关专业师生的参考书。
目录
原书第1版前言
关于作者
第1部分 一般性背景
第1章 概述
1.1 集成电路技术的发展
1.2 设计目标的发展
1.3 配电的问题
1.4 配电噪声的不利影响
1.4.1 信号延时的不确定性
1.4.2 片上时钟抖动
1.4.3 噪声裕度降低
1.4.4 栅氧化层可靠性的降低
1.5 小结
第2章 电路的感性特性
2.1 电感的定义
2.1.1 场能量的定义
2.1.2 磁通量的定义
2.1.3 局部电感
2.1.4 网电感
2.2 电感随频率的变化
2.2.1 均匀电路密度假定
2.2.2 电感变化机制
2.2.3 电路简化模型
2.3 电路的感性行为
2.4 片上互连线的电感特性
2.5 小结
第3章 片上感性电流回路的特性
3.1 简介
3.2 电感与线长的关系
3.3 两个并行回路段的感性耦合
3.4 电路分析的应用
3.5 小结
第4章 电迁移
4.1 电迁移的物理机制
4.2 电迁移引起的机械应力
4.3 电迁移损害的稳态限制
4.4 电迁移寿命与互连线尺寸的关系
4.5 电迁移寿命的统计分布
4.6在交流电流下的电迁移寿命
4.7铝和铜互连工艺的比较
4.8电迁移可靠性设计
4.9小结
第5章 去耦电容
5.1 去耦电容简介
5.1.1 历史回顾
5.1.2 去耦电容当作电荷的蓄水池
5.1.3 去耦电容的现实模型
5.2 带去耦电容的配电网络的阻抗
5.2.1 配电系统的目标阻抗
5.2.2 反共振
5.2.3 去耦电容结构化分布的水力学类比
5.3 固有和策划的片上去耦电容
5.3.1 固有去耦电容
5.3.2 策划去耦电容
5.4 片上去耦电容的类型
5.4.1 PIP电容
5.4.2 MOS电容
5.4.3 MIM电容
5.4.4 侧面通量电容
5.4.5 不同片上去耦电容的对比
5.5 片上开关稳压器
5.6小结