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电路与电子线路基础 电子线路部分 第2版 [王志功 等著] 2016年版

电路与电子线路基础 电子线路部分 第2版  

出版时间: 2016年版 

丛编项:        教育部高等学校电子电气基础课程教学指导分委员会推荐教材,“十二五”江苏省高等学校重点教材 

内容简介 

  《电路与电子线路基础 电子线路部分(第二版)》首先引出非线性器件与电路的概念,接下去依次讲述半导体PN结及其代表性器件二极管、双极型晶体管和各种场效应晶体管的器件原理、制造工艺、电路模型和基本电路,进一步讲述多级放大器、反馈放大器、运算放大器和由运算放大器构造的各种电路,晶体管功率放大与处理电路,振荡和频率变换电路,逻辑门电路和模拟数字互相转换电路,最后介绍电子线路的分析、设计与测试。作为教育部高等学校电子电气基础课程教学指导分委员会推荐的一套两册教程,《电路与电子线路基础 电子线路部分(第二版)》适合于高等学校电子电气信息类专业本科生电子线路课程的教学,并强烈建议与《电路与电子线路基础电路部分(第二版)》联合使用。 

目录 

前辅文 

第1章 非线性电路概述 

1.1 引言 

1.2 非线性元件 

1.2.1 非线性电阻 

1.2.2 非线性电容 

1.2.3 非线性电感 

1.2.4 非线性器件建模 

1.3 非线性电路方程 

1.4 小信号分析法 

1.5 分段线性优化方法 

思考题与习题 

第2章 半导体PN结与二极管 

2.1 半导体与PN结 

2.1.1 半导体与掺杂 

2.1.2 N型与P型半导体 

2.1.3 PN结的动态平衡 

2.1.4 PN结的正向偏置 

2.1.5 PN结的反向偏置 

2.2 二极管模型 

2.2.1 二极管的伏安特性 

2.2.2 PN结电容效应 

2.2.3 二极管大信号模型 

2.2.4 二极管的小信号模型 

2.2.5 简单二极管电路的计算方法 

2.3 二极管器件的SPICE语句输入格式 

2.3.1 半导体器件的SPICE语句描述方式 

2.3.2 二极管D的SPICE语句输入格式 

2.4 二极管的应用 

2.4.1 整流电路 

2.4.2 检波电路 

2.4.3 限幅电路 

2.4.4 二极管的主要参数 

2.5 特殊二极管 

2.5.1 齐纳二极管 

2.5.2 肖特基二极管 

2.5.3 发光二极管 

2.5.4 激光二极管 

2.5.5 光电二极管 

思考题与习题 

第3章 双端口非线性器件与受控源 

3.1 双端口非线性电子器件 

3.2 单元电路的隔离 

3.2.1 隔离的必要性 

3.2.2 隔离器基本结构 

3.3 受控电源 

3.3.1 受控源电路图 

3.3.2 电压控制电压源 

3.3.3 电压控制电流源 

3.3.4 电流控制电压源 

3.3.5 电流控制电流源 

3.4 受控源在电路中的基本行为 

3.4.1 受控源的放大功能 

3.4.2 放大的基本概念 

3.5 有源电路的计算 

3.5.1 有源电路计算举例 

3.5.2 受控源的层次链接 

3.6 反馈的基本概念 

3.6.1 反馈概念的产生 

3.6.2 反馈基本方程式 

3.6.3 反馈的组态及判断方法 

思考题与习题 

第4章 双极型晶体管 

4.1 晶体管的发明 

4.2 BJT的基本工作原理 

4.2.1 PNP型晶体管的基本工作原理 

4.2.2 NPN型晶体管的基本工作原理 

4.3 BJT的制造工艺 

4.4 BJT的电路模型 

4.4.1 BJT的Ebers-Moll模型 

4.4.2 BJT的小信号等效电路 

4.4.3 BJT的Gummel-Poon电路模型 

4.4.4 BJT的SPICE输入语句格式 

4.4.5 BJT的SPICE模型语句与参数 

4.4.6 BJT的极限参数 

思考题与习题 

第5章 BJT基本电路 

5.1 共基极、共发射极和共集电极3种基本组态电路 

5.1.1 共基极组态放大电路 

5.1.2 共发射极组态放大电路 

5.1.3 共集电极组态放大电路 

5.1.4 共基极、共发射极和共集电极放大器主要特征比较 

5.2 BJT直接耦合基本电路 

5.2.1 达林顿连接 

5.2.2 NPN型晶体管与PNP型晶体管组合放大器 

5.2.3 差分放大器 

5.2.4 管联放大器 

5.3 电流源及其应用 

5.3.1 电流源 

5.3.2 电流源的应用 

5.4 BJT电压源 

5.4.1 产生电压源的基本方法 

5.4.2 电压源实用电路 

思考题与习题 

第6章 场效应晶体管原理、特性与工艺 

6.1 结型场效应晶体管 

6.1.1 PN结场效应晶体管 

6.1.2 金属-半导体结场 

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