多弧离子镀沉积过程的计算机模拟

多弧离子镀沉积过程的计算机模拟  
作　者：赵时璐 著 
出版时间：2013 
内容简介 
　　赵时璐编写的这本《多弧离子镀沉积过程的计算机模拟》系统介绍了多弧离子镀沉积过程的计算机模拟。全书共分13章，主要内容包括：绪论；真空镀膜技术的介绍；多弧离子镀沉积过程模拟的理论基础；多弧离子镀物理过程的分析；计算机模拟技术；数学模型的建立；程序的编制；模拟的结果；模拟结果的讨论与验证；6个模块的主要程序代码等。《多弧离子镀沉积过程的计算机模拟》可供从事材料表面改性，特别是从事真空镀膜技术研究开发及实际生产应用的科技工作者阅读，也可供材料表面工程专业的本科生和研究生参考。 
目录 
1 绪论 
1.1 引言 
1.2 研究意义 
1.3 研究内容及方法 
1.3.1 建立物理及数学模型 
1.3.2 实现模拟 
1.3.3 模拟结果及分析 
1.4 研究技术路线 
2 真空镀膜技术 
2.1 真空镀膜技术概述 
2.2 真空镀膜技术分类 
2.2.1 真空蒸发镀技术 
2.2.2 真空溅射镀技术 
2.2.3 真空离子镀技术 
2.2.4 束流沉积技术 
2.2.5 化学气相沉积技术 
2.3 多弧离子镀技术概述 
2.3.1 离子镀技术发展 
2.3.2 多弧离子镀技术特点 
2.3.3 多弧离子镀技术原理 
3 多弧离子镀沉积过程的理论基础 
3.1 真空物理基础 
3.1.1 真空度和真空区域划分 
3.1.2 气体分子运动论 
3.2 等离子体物理基础 
3.2.1 低温等离子体物理概述 
3.2.2 弧光放电特性 
3.2.3 带电粒子与表面的作用 
3.3 薄膜生长 
3.3.1 薄膜生长过程概述 
3.3.2 吸附与凝结过程 
4 多弧离子镀物理过程及成分离析效应 
4.1 多弧离子镀物理过程 
4.1.1 粒子蒸发过程 
4.1.2 粒子运动过程 
4.1.3 粒子吸附过程 
4.2 主要工艺参数 
4.2.1 基体负偏压 
4.2.2 气体分压 
4.2.3 弧电流强度 
4.2.4 本底真空度 
4.2.5 试样温度 
4.2.6 试样转动速率 
4.2.7 沉积时间